量測基礎 S 參數向量網路分析儀校正駐波比去嵌入

S 參數與向量網路分析入門

為什麼射頻要用「波」而不是電壓電流來描述元件?

二埠網路的入射波、反射波與四個 S 參數
射頻不量電壓電流,而是量進出每個埠的行進波。S 參數的下標讀作(輸出埠, 輸入埠):S₂₁ 是訊號從埠 1 進、埠 2 出。

重點摘要

散射參數(Scattering Parameters, S 參數)是射頻與微波領域描述元件特性的標準方法。低頻電路慣用的 Z、Y、H 參數必須把埠開路或短路才能量測,但在射頻下理想的開路與短路無法實現,主動元件也可能因此振盪或損壞;因此改為在固定的參考阻抗(一般為 50 Ω)下量測入射波與反射波的複數比值。向量網路分析儀(Vector Network Analyzer, VNA)同時量測幅度與相位,得到 S11、S21、S12、S22 等參數,並換算成回波損耗、插入損耗、隔離度與電壓駐波比。VNA 的量測精度幾乎完全取決於校正:儀器原本量到的是「分析儀+測試線+轉接頭+治具+待測物」的總和,必須透過 SOLT/TOSM、UOSM 或 TRL 等校正程序,把參考平面推到待測物的接腳上,量測結果才有意義。

  • 射頻無法可靠開路/短路,改量入射波與反射波
  • S11/S21/S12/S22 = 回波損耗、插入損耗、隔離度
  • 反射係數、回波損耗、駐波比是同一件事的三種說法
  • 校正決定一切:參考平面沒推到 DUT,數據就不算數
  • 扭力、埠功率、中頻頻寬是新手最常踩的三個坑

為什麼射頻要用 S 參數:因為你開路不了、也短路不了

在低頻電路裡,我們習慣用阻抗參數(Z 參數)、導納參數(Y 參數)或混合參數(H 參數)來描述一個二埠網路。這些參數的定義都建立在一個前提上:量測時必須把其中一個埠「開路」或「短路」。例如要量 Z11,就得讓埠 2 開路;要量 Y21,就得讓埠 2 短路。在幾十 kHz 的世界裡,這件事很容易做到——把線剪斷就是開路,把線接地就是短路。

到了射頻與微波頻段,這個前提就崩掉了。第一,理想的開路與短路根本做不出來:一段看似開路的接腳有雜散電容(fringing capacitance),一段看似短路的接地有殘餘電感(residual inductance),頻率越高,這些寄生效應的阻抗越接近你想量的元件本身,量到的已經不是元件而是元件加寄生。第二,當訊號波長可以和元件、線路的實體尺寸相比擬時,電壓與電流沿著傳輸線是隨位置變化的——「這一點的電壓」不再是一個明確的量,你要問的是「量在哪裡」。第三,也是最現實的一點:把一顆低雜訊放大器(LNA)或功率放大器(PA)的輸出端短路或開路,它很可能直接振盪甚至燒毀。

所以射頻工程改用另一套語言:不談電壓與電流,改談行進波(travelling wave)。在一個共同的參考阻抗(characteristic impedance,一般是 50 Ω)之下,定義入射到每個埠的波 a 與離開每個埠的波 b,再用它們的比值來描述元件。這就是散射參數(S 參數)。它的量測條件不是開路或短路,而是「其他埠接上匹配負載」——而寬頻、精準的 50 Ω 匹配負載,恰恰是射頻領域最容易做得好的元件之一。

另外一個關鍵:S 參數是複數,同時帶有幅度與相位。這就是為什麼量測儀器叫做「向量」網路分析儀(Vector Network Analyzer, VNA)——只量幅度的純量分析儀無法還原阻抗、無法做去嵌入、也無法換算到時域。相位資訊不是加值功能,而是 S 參數之所以有用的核心。

讀懂 S11、S21、S12、S22

二埠網路的 S 參數矩陣可以寫成兩條式子:b1 = S11·a1 + S12·a2,b2 = S21·a1 + S22·a2。記法很單純——Smn 代表「訊號從第 n 埠射入、從第 m 埠出來」,第一個下標是出口,第二個下標是入口。很多初學者把順序記反,導致把插入損耗與隔離度搞混。

S11 是輸入埠的反射係數:射進去多少、彈回來多少。工程上通常表達為回波損耗(Return Loss,也譯反射損耗)= −20·log10|S11| dB。回波損耗 20 dB 代表只有 1% 的功率被反射回來,是天線、濾波器輸入端常見的驗收門檻。要注意習慣用語的落差:規格書寫「回波損耗 ≥ 15 dB」是正值,但儀器螢幕上的 S11 軌跡是 −15 dB,兩者是同一件事。

S21 是正向傳輸係數。對被動元件(濾波器、電纜、連接器)而言,它換算成插入損耗(Insertion Loss)= −20·log10|S21| dB;對主動元件(放大器)而言,同一個 S21 就是增益(Gain)。一條 3 dB 插入損耗的電纜,等於一半的功率消失在裡面。

S12 是反向傳輸係數,也就是從輸出端漏回輸入端的量。對放大器、隔離器、開關而言,這一項就是隔離度(Isolation)或反向隔離。S12 差,代表負載的變化會反過來影響輸入端的匹配,系統設計上會出問題。互易(reciprocal)的被動元件滿足 S21 = S12,若你量到兩者明顯不同,通常不是元件神奇,而是校正或連接出了問題——這是一個很好用的健檢。

S22 則是輸出埠的反射係數,意義與 S11 對稱。要完整取得這四個參數,訊號必須從兩個方向都射一次;四接收器架構(每個測試埠各有一組參考與量測接收器)的 VNA 能在不切換內部開關的情況下完成雙向量測,這也是進階校正方法能成立的硬體前提。

S 參數可以自然推廣到 N 埠:一個 N 埠元件有 N² 個 S 參數,四埠元件就有 16 個。差動(balanced)元件則另外用混合模式 S 參數(mixed-mode S-parameters)表達,把四個單端埠重組成差動模式與共模模式,直接讀出差動插入損耗、共模抑制與模式轉換。R&S®ZNB 內建混合模式 S 參數功能,可直接量測平衡式待測物;R&S®ZNBT 則採用「每個測試埠一個反射計」的架構,最多 24 個埠全部相位相干,不必外掛開關矩陣。

駐波比、回波損耗、反射係數:同一件事的三種說法

現場最常見的混淆,是把電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio, VSWR)、回波損耗與反射係數當成三個不同的規格。它們其實是同一個量的三種表示法,可以互相換算。

反射係數 Γ 就是 S11 本身,是複數。取它的絕對值 |Γ| 之後,回波損耗(dB)= −20·log10|Γ|,而駐波比 VSWR = (1 + |Γ|) / (1 − |Γ|)。反過來,|Γ| = (VSWR − 1) / (VSWR + 1)。反射掉的功率比例則是 |Γ|²。

幾個好記的對照點:|Γ| = 0.1 對應回波損耗 20 dB、VSWR 1.22,反射功率 1%;|Γ| = 0.2 對應回波損耗約 14 dB、VSWR 1.5,反射功率 4%;|Γ| = 0.333 對應回波損耗約 9.5 dB、VSWR 2.0,反射功率約 11%。天線工程常說的「VSWR 小於 2」,換算過來就是回波損耗大於約 9.5 dB——以射頻元件的標準來說其實相當寬鬆。

為什麼還要保留三種說法?VSWR 源自傳輸線上駐波的波腹與波節電壓比,在天線與饋線現場很直覺;回波損耗以 dB 表達,方便和其他 dB 量一起做功率預算加總;反射係數則保留了相位,是唯一能拿來做阻抗換算與匹配設計的形式。

這也帶出一個重要限制:VSWR 與回波損耗都只剩幅度,把相位丟掉了。它們能告訴你「匹配得好不好」,卻無法告訴你「該往哪個方向修」。要知道待測物到底是偏電感性還是電容性、該串多少電感或並多少電容,就必須看複數的 S11——也就是史密斯圖(Smith chart)。所有 R&S VNA 都能同時以對數幅度、駐波比、史密斯圖等格式顯示同一組資料,切換的是顯示格式,底下的量測資料是同一份。

校正才是關鍵:儀器量到的不只是待測物

這是初學者最需要理解的一節。VNA 開機接上待測物之後螢幕上會出現一條曲線,但那條曲線並不是待測物的 S 參數。它是「分析儀內部電路 + 測試線 + 轉接頭 + 治具 + 待測物」的總和。VNA 內部的方向耦合器方向性(directivity)有限,會把一部分入射訊號漏進反射通道;測試埠本身不是完美的 50 Ω(源匹配、負載匹配);線路與接收器的頻率響應也不平坦(追蹤誤差)。這些都是可重複、可建模的系統誤差(systematic error),而校正(calibration)就是量出這些誤差、再從結果中數學扣除的程序。

誤差模型有標準的形式:單埠反射量測需要修正三項誤差(方向性、源匹配、反射追蹤),完整雙埠量測則是廣為使用的十二項誤差模型(正反兩向各六項)。要解出這些未知數,就必須量測一組特性已知的校正標準(calibration standard)——這就是各種校正方法名稱的由來。

SOLT(Short-Open-Load-Thru)是最普遍的方法,R&S 的術語稱為 TOSM(Through-Open-Short-Match)。它用短路、開路、匹配負載與直通四個標準,優點是快、直覺、頻率涵蓋廣。它的前提是這些標準的特性必須被精確描述:開路端的邊緣電容通常以多項式係數建模,短路端有殘餘電感,每個標準還有偏移延遲(offset delay)。這些係數存在校正套件的資料檔裡,所以校正套件的品質與資料正確性,直接決定校正的上限。用 A 廠的係數去校 B 廠的標準,結果會安靜地錯掉。

UOSM(Unknown Thru-Open-Short-Match)處理的是另一種現實:兩個測試埠的接頭性別或介面型式不同(例如一端 N 型公頭、一端 3.5 mm 母頭),做不出理想的直通。UOSM 允許直通段是一個未知但互易的元件,由演算法反推。這需要四接收器架構才能成立——R&S®ZNH 手持式向量網路分析儀就是以四接收器架構支援 UOSM,讓現場作業不必為了湊接頭而堆疊轉接頭。

TRL/LRL(Thru-Reflect-Line/Line-Reflect-Line)走的是完全不同的路線:它以一段傳輸線本身作為主要標準,只需要知道線的特性阻抗與長度,不必精確建模開路與短路。在晶圓上(on-wafer)、印刷電路板治具、波導等無法插拔標準件的場合,TRL 的準確度最高。代價是頻寬受限——單一條線只在其電氣長度相對直通約 20° 至 160° 的相位差範圍內有效,涵蓋寬頻通常得準備多條不同長度的線。R&S®ZNBT 標準支援 TOSM、TSM、TRL/LRL 與 UOSM 多種校正方法。

校正完成後最重要的觀念是參考平面(reference plane):校正標準接在哪裡,儀器就認定那個位置是「零長度、理想 50 Ω」的起點。參考平面前面的東西被扣掉,後面的東西被算進待測物。所以理想狀況是把校正做在最靠近待測物接腳的位置。做不到時有兩個工具:埠延伸(port extension)用一段電氣長度平移參考平面,只補相位與延遲,不補損耗與失配,適合微調;去嵌入(de-embedding)則用治具本身的完整 S 參數檔把它整個移除,能同時處理損耗與失配,是治具量測的正解。

實務上還有兩件事值得養成習慣。其一是善用自動校正單元:R&S®ZNLE 等機種同時支援手動校正套件(R&S®ZN-Z1xx)與自動校正單元(R&S®ZN-ZE1xx),一次連接即可完成,大幅減少接插次數與人為誤差,機上的引導式校正精靈也會逐步帶你走完程序。其二是校正後一定要驗證:把某個校正標準當成待測物再量一次——量匹配負載應該貼近雜訊底,量直通應該接近 0 dB 且相位平坦。這一步能在半分鐘內抓出九成的校正失敗。

校正也不是永久有效的,溫度漂移與連接器磨耗都會讓它失效。長期穩定性因此是生產線的實際成本項目:R&S®ZNB3000 的相位溫度穩定性為 0.15°/°C,設計目標即是讓生產線連續運行數日而不需頻繁重新校正。

新手最常踩的四個坑

第一是連接器扭力與重複性。在高頻,量測不確定度最大的來源往往不是儀器,而是接頭。3.5 mm、2.92 mm、2.4 mm、1.85 mm 這類精密同軸接頭都必須使用扭力扳手依規定值鎖緊,N 型接頭同樣有扭力規範;用手鎖或鎖過頭,每次接上的結果都不一樣,而校正的有效性正建立在「接法可重複」這個假設上。此外要定期用針規(pin gauge)檢查中心導體深度、保持接頭清潔,一支中心導體被推凹的轉接頭可以毀掉整組校正標準。校正完成後,測試線的擺放位置也盡量不要再動——電纜彎折造成的相位變化在毫米波頻段相當可觀,這也是穩相測試線存在的理由。

第二是埠功率與壓縮。量被動元件時,提高源功率可以改善訊噪比;但量放大器時,源功率必須降到讓待測物確實工作在小訊號區,否則你量到的 S21 已經是壓縮後的增益,不是小訊號 S 參數。同時放大器的輸出功率也可能超過 VNA 接收器的安全範圍,必須在輸出端加衰減器或使用接收器步進衰減器。R&S®ZNH 與 R&S®ZNL 皆提供接收器步進衰減器選項;R&S®ZNA 的輸出功率涵蓋 −80 dBm 至 +17 dBm(ZNA26,10 MHz–4 GHz 條件),加裝選購步進衰減器後最低可到 −120 dBm,足以應付高增益元件的小訊號量測。一個實用的檢查:做一次功率掃描,看 S21 在哪個輸入功率開始下滑,就知道你的量測點是否還在線性區。

第三是中頻頻寬(IF Bandwidth, IFBW)與掃描速度的取捨。VNA 的接收器把訊號降頻後以中頻濾波器擷取,IF 頻寬越窄,雜訊底越低、痕跡雜訊(trace noise)越小,動態範圍越好;代價是每點的擷取時間變長。粗略的規則是:IF 頻寬降為十分之一,雜訊底大約改善 10 dB,掃描時間大約增加十倍。也因此,任何痕跡雜訊規格都必須連同量測頻寬一起看才有意義——例如 R&S®ZNLE 標示典型痕跡雜訊 0.001 dB 是在 10 kHz 量測頻寬下、R&S®ZNA 標示 0.005 dB RMS 是在 100 kHz 量測頻寬下,兩個數字不能直接相比。實務上的解法是分段掃描(segmented sweep):濾波器通帶用密集點數與小 IF 頻寬換取解析度與低雜訊,帶外抑制區用大 IF 頻寬快速帶過。順帶一提,量窄帶濾波器時點數不足會直接漏掉波紋與尖峰,這是產線誤判的常見原因。

第四是治具與去嵌入。表面黏著元件無法直接插上同軸接頭,必須透過印刷電路板治具;治具的走線、過孔與焊點都會被算進量測結果。處理方式依準確度需求由低到高排列:埠延伸(只補延遲)、治具補償、以治具的 S 參數檔進行去嵌入,以及在治具上直接做 TRL 校正。R&S®ZNLE 提供去嵌入與治具補償功能,R&S®ZNBT 則提供符合 IEEE 370 標準的進階嵌入/去嵌入選項——IEEE 370 正是為了讓去嵌入結果的品質可被量化與比較而制定的。另一個實用工具是時域分析與時域選通(time gating):把 S 參數轉換到時域後,可以看出反射究竟發生在接頭、走線還是待測物上,並把不屬於待測物的反射閘除。R&S®ZNL 與 R&S®ZNLE 都提供時域分析選項(R&S®ZNL-K2),同一套技術也用於電纜的故障點距離(DTF)量測。

從入門到旗艦:R&S VNA 產品線怎麼對應

R&S 的向量網路分析儀產品線涵蓋從教學實驗到毫米波研發的完整範圍,選型時主要看四件事:頻率上限、埠數、動態範圍與掃描速度。

入門與教學用途可從 R&S®ZNLE 開始,這是一款緊湊的獨立式雙埠機種,可完整量測 S11、S21、S12、S22,內建作業系統與 10.1 吋觸控螢幕,不需外接電腦。需要一台機器兼顧多種工作時,R&S®ZNL 是向量網路分析儀、頻譜分析儀與功率計的三合一設計,並可選配鋰電池組作為可攜式現場儀器。純現場作業則看 R&S®ZNH 手持式向量網路分析儀,四接收器架構支援 UOSM 校正,動態範圍典型值 100 dB,IP51 加固外殼,可戴手套操作,並支援 PC、Android 與 iOS 遠端控制。

研發與一般生產的主力是 R&S®ZNB,動態範圍最高 140 dB(選配可達 150 dB),401 點掃描僅需 4 ms,內建混合模式 S 參數、分段掃描與嵌入/去嵌入功能。高產量產線可考慮 R&S®ZNB3000,1,601 點掃描 11.7 ms、24 GHz 時動態範圍最高 150 dB,並可透過開關矩陣擴充至最多 48 個測試埠。多埠元件(多埠濾波器、相位陣列、車用連接性)則對應 R&S®ZNBT,最多 24 個完全整合且相位相干的測試埠,最快 2.5 ms/201 點。

最上層是旗艦機種 R&S®ZNA,涵蓋 10 MHz 至 67 GHz(ZNA67EXT 可達 110 GHz),系統動態範圍規格值大於 129 dB、含 B3 選項典型值 147 dB,4 埠機種提供最多四路相位相干內建訊號源,適合混頻器與頻率轉換器表徵、雜訊指數量測、脈衝量測與主動負載牽引(load pull)等進階應用。

名詞解釋

散射參數 (Scattering Parameters, S 參數)
在固定參考阻抗(一般 50 Ω)下,以入射波與反射/傳輸波的複數比值描述多埠網路的特性。量測條件是其他埠接匹配負載,而非開路或短路,因此適用於射頻與微波頻段。
回波損耗 (Return Loss) 與反射係數 (Reflection Coefficient, Γ)
Γ 即 S11 本身,是帶相位的複數;回波損耗(dB)= −20·log10|Γ|,習慣以正值表達。回波損耗越大代表匹配越好,20 dB 相當於只有 1% 的功率被反射。
電壓駐波比 (Voltage Standing Wave Ratio, VSWR)
VSWR = (1 + |Γ|) / (1 − |Γ|),與回波損耗、反射係數三者可互相換算。只保留幅度資訊,能判斷匹配好壞但無法指出修正方向,匹配設計仍須回到史密斯圖上的複數 S11。
參考平面 (Reference Plane)
校正標準所定義的位置,校正後儀器視該處為零長度、理想 50 Ω 的量測起點。參考平面之前的線路與轉接頭被扣除,之後的一切都會被算進待測物,因此應盡可能貼近待測物接腳。
去嵌入 (De-embedding) 與中頻頻寬 (IF Bandwidth, IFBW)
去嵌入是以治具的完整 S 參數把治具效應從量測結果中移除,可同時修正損耗與失配,優於僅平移相位的埠延伸。中頻頻寬則是接收器的擷取頻寬,越窄則雜訊底越低、動態範圍越好,但掃描時間越長;所有痕跡雜訊規格都必須連同量測頻寬一起解讀。

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